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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPB80P03P4L-04 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263

内部编号

173-IPB80P03P4L-04

生产厂商

infineon technologies

infineon

#1

数量:1103
1+¥11.7608
10+¥9.436
100+¥7.248
500+¥6.4206
1000+¥5.0667
2000+¥4.4787
5000+¥4.3966
10000+¥4.3146
最小起订量:1
美国加州
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IPB80P03P4L-04产品详细规格

规格书 IPB80P03P4L-04 datasheet 规格书
IPB80P03P4L-04 datasheet 规格书
IPB80P03P4L-04 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 80A
Rds(最大)@ ID,VGS 4.1 mOhm @ 80A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 253µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 160nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 11300pF @ 25V
功率 - 最大 137W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3TO-263
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 80 A
RDS -于 4.4@10V mOhm
最大门源电压 5 V
典型导通延迟时间 17 ns
典型上升时间 11 ns
典型关闭延迟时间 140 ns
典型下降时间 40 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
P( TOT ) 137W
匹配代码 IPB80P03P4L-04
R( THJC ) 1.1K/W
LogicLevel YES
单位包 1000
标准的提前期 18 weeks
最小起订量 1000
Q(克) 160nC
LLRDS (上) 0.0067Ohm
汽车 AEC-Q(100)
LLRDS (上)在 4.5V
我(D ) -80A
V( DS ) -30V
技术 OptiMOS P2
的RDS(on ) at10V 0.0041Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 80A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 253µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 PG-TO263-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 4.1 mOhm @ 80A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 137W
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容(Ciss ) @ VDS 11300pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 160nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
晶体管极性 P-Channel
源极击穿电压 5 V
连续漏极电流 - 80 A
系列 IPB80P03
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 4.1 mOhms
功率耗散 137 W
下降时间 40 ns
最低工作温度 - 55 C
零件号别名 IPB80P03P4L04ATMA1 SP000396284
上升时间 11 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 - 30 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 125 nC

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